1.1真空鍍膜vacuumcoating：在處于真空下的基片上制取膜層的一種方法。

1.2基片substrate：膜層承受體。

1.3試驗基片testingsubstrate：在鍍膜開始、鍍膜過程中或鍍膜結束后用作測量和(或)試驗的基片。

1.4鍍膜材料coatingmaterial：用來制取膜層的原材料。

1.5蒸發材料evaporationmaterial：在真空蒸發中用來蒸發的鍍膜材料。

1.6濺射材料sputteringmaterial：有真空濺射中用來濺射的鍍膜材料。

1.7膜層材料(膜層材質)filmmaterial：組成膜層的材料。

1.8蒸發速率evaporationrate：在給定時間間隔內,蒸發出來的材料量,除以該時間間隔

1.9濺射速率sputteringrate：在給定時間間隔內,濺射出來的材料量,除以該時間間隔。

1.10沉積速率depositionrate：在給定時間間隔內,沉積在基片上的材料量,除以該時間間隔和基片表面積。

1.11鍍膜角度coatingangle：入射到基片上的粒子方向與被鍍表面法線之間的夾角。

2工藝

2.1真空蒸膜vacuumevaporationcoating：使鍍膜材料蒸發的真空鍍膜過程。

2.1.1同時蒸發simultaneousevaporation：用數個蒸發器把各種蒸發材料同時蒸鍍到基片上的真空蒸發。

2.1.2蒸發場蒸發evaporationfieldevaporation：由蒸發場同時蒸發的材料到基片上進行蒸鍍的真空蒸發(此工藝應用于大面積蒸發以獲得到理想的膜厚分布)。

2.1.3反應性真空蒸發reactivevacuumevaporation：通過與氣體反應獲得理想化學成分的膜層材料的真空蒸發。

2.1.4蒸發器中的反應性真空蒸發reactivevacuumevaporationinevaporator：與蒸發器中各種蒸發材料反應,而獲得理想化學成分膜層材料的真空蒸發。

2.1.5直接加熱的蒸發directheatingevaporation：蒸發材料蒸發所必須的熱量是對蒸發材料(在坩堝中或不用坩堝)本身加熱的蒸發。

2.1.6感應加熱蒸發inducedheatingevaporation：蒸發材料通過感應渦流加熱的蒸發。

2.1.7電子束蒸發electronbeamevaporation：通過電子轟擊使蒸發材料加熱的蒸發。

2.1.8激光束蒸發laserbeamevaporation：通過激光束加熱蒸發材料的蒸發。

2.1.9間接加熱的蒸發indirectheatingevaporation：在加熱裝置(例如小舟形蒸發器,坩堝,燈絲,加熱板,加熱棒,螺旋線圈等)中使蒸發材料獲得蒸發所必須的熱量并通過熱傳導或熱輻射方式傳遞給蒸發材料的蒸發。

2.1.10閃蒸flashevaportion：將極少量的蒸發材料間斷地做瞬時的蒸發。

2.2真空濺射vacuumsputtering：在真空中，惰性氣體離子從靶表面上轟擊出原子(分子)或原子團的過程。

2.2.1反應性真空濺射reactivevacuumsputtering：通過與氣體的反應獲得理想化學成分的膜層材料的真空濺射。

2.2.2偏壓濺射biassputtering：在濺射過程中，將偏壓施加于基片以及膜層的濺射。

2.2.3直流二級濺射directcurrentdiodesputtering：通過二個電極間的直流電壓，使氣體自持放電并把靶作為陰極的濺射。

2.2.4非對稱性交流濺射asymmtricalternatecurrentsputtering：通過二個電極間的非對稱性交流電壓，使氣體自持放電并把靶作為吸收較大正離子流的電極。

2.2.5高頻二極濺射highfrequencydiodesputtering：通過二個電極間的高頻電壓獲得高頻放電而使靶極獲得負電位的濺射。

2.2.6熱陰極直流濺射(三極型濺射)hotcathodedirectcurrentsputtering：借助于熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電，氣體放電所產生的離子，由在陽極和陰極(靶)之間所施加的電壓加速而轟擊靶的濺射。

2.2.7熱陰極高頻濺射(三極型濺射)hotcathodehighfrequencysputtering：借助于熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電，氣體放電產生的離子，在靶表面負電位的作用下加速而轟擊靶的濺射。

2.2.8離子束濺射ionbeamsputtering：利用特殊的離子源獲得的離子束使靶的濺射。

2.2.9輝光放電清洗glowdischargecleaning：利用輝光放電原理，使基片以及膜層表面經受氣體放電轟擊的清洗過程。

2.3物理氣相沉積;PVDphysicalvapordeposition：在真空狀態下，鍍膜材料經蒸發或濺射等物理方法氣化，沉積到基片上的一種制取膜層的方法。

2.4化學氣相沉積;CVDchemicalvapordeposition：一定化學配比的反應氣體，在特定激活條件下(通常是一定高的溫度)，通過氣相化學反應生成新的膜層材料沉積到基片上制取膜層的一種方法。

2.5磁控濺射magnetronsputtering：借助于靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區域，來增強電離效率，增加離子密度和能量，因而可在低電壓，大電流下取得很高濺射速率。

2.6等離子體化學氣相沉積;PCVDplasmachemistryvapordeposition：通過放電產生的等離子體促進氣相化學反應，在低溫下，在基片上制取膜層的一種方法。

2.7空心陰極離子鍍HCDhollowcathodedischargedeposition：利用空心陰極發射大量的電子束，使坩堝內鍍膜材料蒸發并電離，在基片上的負偏壓作用下，離子具有較大能量，沉積在基片表面上的一種鍍膜方法。

2.8電弧離子鍍arcdischargedeposition：以鍍膜材料作為靶極，借助于觸發裝置，使靶表面產生弧光放電，鍍膜材料在電弧作用下，產生無熔池蒸發并沉積在基片上的一種真空鍍膜方法。

3專用部件

3.1鍍膜室coatingchamber：真空鍍膜設備中實施實際鍍膜過程的部件

3.2蒸發器裝置evaporatordevice：真空鍍膜設備中包括蒸發器和全部為其工作所需要的裝置(例如電能供給、供料和冷卻裝置等)在內的部件。

3.3蒸發器evaporator：蒸發直接在其內進行蒸發的裝置,例如小舟形蒸發器,坩堝,燈絲,加熱板,加熱棒,螺旋線圈等等,必要時還包括蒸發材料本身。

3.4直接加熱式蒸發器evaporatorbydirectheat：蒸發材料本身被加熱的蒸發器。

3.5間接加熱式蒸發器evaporatorbyindirectheat：蒸發材料通過熱傳導或熱輻射被加熱的蒸發器。

3.6蒸發場evaporationfield：由數個排列的蒸發器加熱相同蒸發材料形成的場。

3.7濺射裝置sputteringdevice：包括靶和濺射所必要的輔助裝置(例如供電裝置,氣體導入裝置等)在內的真空濺射設備的部件。

3.8靶target：用粒子轟擊的面。本標準中靶的意義就是濺射裝置中由濺射材料所組成的電極。

3.9擋板shutter：用來在時間上和(或)空間上限制鍍膜并借此能達到一定膜厚分布的裝置。擋板可以是固定的也可以是活動的。

3.10時控擋板timingshutter：在時間上能用來限制鍍膜,因此從鍍膜的開始、中斷到結束都能按規定時刻進行的裝置。

3.11掩膜mask：用來遮蓋部分基片,在空間上能限制鍍膜的裝置。

3.12基片支架substrateholder：可直接夾持基片的裝置,例如夾持裝置,框架和類似的夾持器具。

3.13夾緊裝置clamp：在鍍膜設備中用或不用基片支架支承一個基片或幾個基片的裝置,例如夾盤,夾鼓,球形夾罩,夾籃等。夾緊裝置可以是固定的或活動的(旋轉架,行星齒輪系等)。

3.14換向裝置reversingdevice：在真空鍍膜設備中,不打開設備能將基片、試驗玻璃或掩膜放到理想位置上的裝置(基片換向器,試驗玻璃換向器,掩膜換向器)。

3.15基片加熱裝置substrateheatingdevice：在真空鍍膜設備中,通過加熱能使一個基片或幾個基片達到理想溫度的裝置。

3.16基片冷卻裝置substratecoldingdevice：在真空鍍膜設備中,通過冷卻能使一個基片或幾個基片達到理想溫度的裝置。

4真空鍍膜設備

4.1真空鍍膜設備vacuumcoatingplant：在真空狀態下制取膜層的設備。

4.1.1真空蒸發鍍膜設備vacuumevaporationcoatingplant：借助于蒸發進行真空鍍膜的設備。

4.1.2真空濺射鍍膜設備vacuumsputteringcoatingplant：借助于真空濺射進行真空鍍膜的設備。

4.2連續鍍膜設備continuouscoatingplant：被鍍膜物件(單件或帶材)連續地從大氣壓經過壓力梯段進入到一個或數個鍍膜室，再經過相應的壓力梯段，繼續離開設備的連續式鍍膜設備。

4.3半連續鍍膜設備semi-continuouscoatingplant：被鍍物件通過閘門送進鍍膜室并從鍍膜室取出的真空鍍膜設備。